据日经新闻报道，罗姆将于2022年春季之前开始量产新一代GaN功率半导体，并首先供货5G基站。据悉，罗姆新一代GaN功率半导体可提高供电效率和控制效率，具备三大主要特点：（1）采用罗姆自有结构，将栅极-源极间额定电压提高至8V；（2）采用在电路板上易于安装且具有出色散热性的封装；（3）相较于Si器件，开关损耗降低了65%。总的来说，新产品能承受150V电压，适用于数据中心和通信基站。

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